[发明专利]铌酸钙单晶体的生长方法

摘要

一种铌酸钙单晶体的生长方法，包括下列步骤：①CaNb₂O₆晶体原料的制备，初始原料采用高纯的CaCO₃和Nb₂O₅，按选定的摩尔比为Nb₂O₅∶CaCO₃＝1.0213～1.0513称取原料，然后烧结成CaNb₂O₆晶体原料块；②采用提拉法生长铌酸钙单晶，晶体生长提脱后，实行避开相变点的降温和有氧退火。本发明方法消除了在CaNb₂O₆晶体中的色心；减少了CaNb₂O₆晶体在晶体生长后期发生相变开裂解理的几率，获得了晶体尺寸较大、光学质量高、完整无开裂、物化性能较好、透过率达80％铌酸钙单晶。

主权项

1、一种铌酸钙单晶体的生长方法，其特征在于该方法包括下列步骤：①CaNb2O6晶体原料的制备：初始原料采用高纯的CaCO3和Nb2O5，两原料的摩尔比为Nb2O5∶CaCO3＝1.0213～1.0513；按选定的摩尔比称取原料，然后烧结成CaNb2O6晶体原料块；②采用提拉法生长铌酸钙单晶：采用提拉法生长铌酸钙单晶体，将原料块装入铱金坩埚，将铱坩埚和籽晶装入提拉单晶炉内，所述的籽晶是<001>方向的CaNb2O6晶棒，装入单晶炉完后，单晶炉内抽真空至1～10Pa，充入0.01～0.03MPa中性气氛或还原性气氛，在高于熔点50～80℃时化料，恒温1～2小时，在1560℃时进行晶体生长，晶体生长速度为1～2mm/h，晶体的转动速度为5～10rpm，晶体生长结束，晶体提脱后，以20～40℃/h的速率降温，当降温至950～1000℃时，通过调整加热功率，快速跳过相变点温度；或者加快降温速率，以40～60℃/h的降温速率来避开相变点温度925℃，然后将生长的铌酸钙单晶体置于马福炉中，用10小时加热到1300℃，保温50小时，然后以60℃/h的速度降至室温。