[发明专利]一种电容的制作方法有效
| 申请号： | 200810033045.3 | 申请日： | 2008-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101494195A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张步新;王媛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/02;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电容的制作方法，它包括1.提供一衬底，且上面依次淀积有一电极层和一初始介质层；2.在初始介质层上形成一离子注入掩模层后，采用离子注入形成另一介质层；3.去掉离子注入掩模层后，依次淀积另一电极层和腐蚀阻挡层，在所述的腐蚀阻挡层上形成刻蚀掩模层；4.蚀刻所述刻蚀掩模层未覆盖的腐蚀阻挡层以及另一电极层的部分；5.去掉所述刻蚀掩模层后形成分别穿过腐蚀阻挡层和穿过初始介质层的导电过孔。通过在初始介质层中采用离子注入可实现较大电容容量的电容制作，解决传统方法制作高容量电容存在的漏电流大、过多占用芯片的面积和制作成本高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种电容的制作方法，其特征在于，它包括以下步骤：步骤1：提供一衬底，且上面依次淀积有一电极层和一初始介质层；步骤2：在所述步骤1的初始介质层上形成一离子注入掩模层后，采用离子注入形成另一介质层；步骤3：去掉离子注入掩模层后，依次淀积另一电极层和腐蚀阻挡层，在所述的腐蚀阻挡层上形成刻蚀掩模层；步骤4：蚀刻所述刻蚀掩模层未覆盖的腐蚀阻挡层以及另一电极层的部分；步骤5：去掉所述刻蚀掩模层后形成分别穿过腐蚀阻挡层和穿过初始介质层的导电过孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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