[发明专利]一种监测结构及包括监测结构的掩膜版及其使用方法无效
| 申请号： | 200810033256.7 | 申请日： | 2008-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101498896A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 顾以理 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 罗 朋 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种监测结构及包括监测结构的掩膜版及其使用方法，所述监测结构的长度和宽度均小于切割道切割区域的长度和宽度，其中的关键尺寸条和对准标记按照与所述监测结构方向排列。所述掩膜版包括1个或多个所述监测结构。所述监测结构的使用方法，包括如下步骤：a.将监测结构设置在掩膜版上；b.通过曝光工艺将所述监测结构复制到晶片上；c.切割掉复制在晶片上的所述监测结构，其中切割道切割区域应覆盖所述监测结构。本发明能消除监测结构切割过程中的金属残留。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 结构 包括 掩膜版 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于监测半导体光刻工艺的监测结构，其特征在于，所述监测结构的图案包括以下任多项：-1个或多个关键尺寸条，-1个或多个对准标记，所述监测结构的图案宽度小于等于切割道切割区域的宽度。
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