[发明专利]一种可提高两相邻N阱间击穿电压的方法有效
| 申请号： | 200810033362.5 | 申请日： | 2008-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101499436A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 朱宝富;施雪捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/265;H01L27/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种可提高两相邻N阱间击穿电压的方法，该两相邻N阱制作在硅衬底中，该两相邻N阱间具有一浅沟槽隔离结构，该两相邻N阱的深度深于该浅沟槽隔离结构，该两相邻N阱被一设置在浅沟槽隔离结构下的上层隔离P阱隔开。现有技术中两相邻N阱的离子浓度峰值位置深于上层隔离P阱，致使两相邻N阱间可通过硅衬底穿通漏电，从而使漏电流过大和击穿电压过小。本发明的可提高两相邻N阱间击穿电压的方法通过离子注入工艺在上层隔离P阱下形成一下层隔离P阱。采用本发明后两相邻N阱间的漏电流由N阱间的穿通电流主导变为N/P阱间的PN结漏电流主导，从而降低了两相邻N阱间的漏电流，在保持器件电学特性的同时大大提高了两相邻N阱间的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 相邻 击穿 电压 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可提高两相邻N阱间击穿电压的方法，该两相邻N阱制作在硅衬底中且该两相邻N阱间具有一浅沟槽隔离结构，该两相邻N阱的深度深于该浅沟槽隔离结构，该两相邻N阱被一设置在浅沟槽隔离结构下的上层隔离P阱隔开，其特征在于，该方法通过离子注入工艺在该上层隔离P阱下形成一下层隔离P阱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810033362.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
