[发明专利]一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法

摘要

本发明公开了一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法。该方法是对离子注入后的碲镉汞样品进行光刻定义出氢离子处理区域，然后将样品置于氢离子氛围中进行处理；氢离子处理区域大小的确定是通过变面积方法来确定，自初始定义的离子注入区域大小开始逐渐扩大氢离子处理区域，对经过不同区域氢离子处理的碲镉汞样品进行电流－电压曲线测量，通过观察反向偏压下暗电流的增大现象来确定氢离子处理区域的大小。

主权项

1.一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法，它采用氢离子对器件进行表面钝化处理，其特征在于：在进行氢离子表面钝化处理时，器件表面有一层保护P型区的光刻胶层(106)。