[发明专利]相变存储器单元器件的结构的改进无效
| 申请号： | 200810033601.7 | 申请日： | 2008-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101267016A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;凌云;龚岳峰;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种相变存储器单元器件结构的改进，其特征在于在圆形的下电极上方，通过一定厚度同心圆柱的介质层，实现加热相变材料的热能向下输运的有效控制，一方面很好地保护了构成PCRAM芯片下面的CMOS电路不受较大热能与载流子的冲击，另一方面在减小相变材料与底电极直接接触面积的同时也获得了很好的保温效果，同时，介质层与很小的相变区域可以把下电极封盖住，很容易实现reset过程，同时上电极与相变材料的界面也可用相同同形圆柱的设计方法，这样一来，上下结构与电极对称，使电场均匀，导致的热场均匀，有利于低电压、低功耗与高速存储的实现，且考虑与CMOS工艺的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 单元 器件 结构 改进 | ||
【主权项】：
1、一种相变存储器单元器件结构的改进，所述的器件由相变材料、绝缘材料、加热电极材料、上、下电极材料组成，其特征在于在电极材料上添加加热电极，加热电极为一层相变材料薄膜，在相变材料薄膜中填加入圆柱形绝热材料或加热材料，填加入的材料和电极构成一个环形。
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