[发明专利]一种提高质量的镶嵌结构制作方法无效

专利信息
申请号: 200810033815.4 申请日: 2008-02-22
公开(公告)号: CN101515561A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: 李健 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所 代理人: 屈 蘅;李时云
地址: 2012*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种可提高质量的镶嵌结构制作方法。现有技术在沉积完金属间介质层后并未对其进行平坦化处理,致使后续制作在该金属间介质层中的镶嵌结构易出现桥接现象。本发明先提供一其上制作有层间介质层的硅衬底;然后在该层间介质层上沉积金属间介质层;再进行化学机械抛光以平坦该金属间介质层;接着通过光刻和刻蚀工艺在该金属间介质层上形成用于容置镶嵌结构的容置凹槽;之后在该容置凹槽槽壁上制作扩散阻挡层;然后在该容置凹槽中填充金属铜并通过铜化学机械抛光工艺形成镶嵌结构。采用本发明可避免镶嵌结构间出现桥接现象,进而可提高镶嵌结构的质量和器件的成品率。
搜索关键词: 一种 提高 质量 镶嵌 结构 制作方法
【主权项】:
1、一种可提高质量的镶嵌结构制作方法,包括以下步骤:a、提供一硅衬底,其上制作有层间介质层;b、在该层间介质层上沉积金属间介质层;c、通过光刻和刻蚀工艺在该金属间介质层上形成用于容置镶嵌结构的容置凹槽;d、在该容置凹槽槽壁上制作扩散阻挡层;e、在该容置凹槽中填充金属铜;f、通过铜化学机械抛光工艺形成镶嵌结构;其特征在于,该方法在步骤b和c间还进行一化学机械抛光步骤以平坦该金属间介质层。
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