[发明专利]三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法无效
申请号: | 200810033832.8 | 申请日: | 2008-02-25 |
公开(公告)号: | CN101377020A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 吴历斌;吴承;江莞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C30B29/34 | 分类号: | C30B29/34 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200050上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法,其特征在于所述的稀土硅酸盐为硅酸镥、硅酸钇或硅酸镥钇;掺杂的三价铈化合物的克分子百分数为0.2-2%;掺杂后所述的稀土硅酸盐的通式为Ln2(1-x)Ce2xSiO3,式中x=0.002-0.02,Ln为Y和Lu中的一种或两种。所述的掺杂的三价铈化合物为Ce2(CO3)3、Ce(NO3)3、Ce2(C2O4)3、Ce(CH3COO)3或Ce(OH)3。采用直接合成多晶料或掺杂三价铈化合物经液相混合后制备多晶料。本发明从原料上最大程度地减少了Ce+4的引入,消除了其对Ce+3发光的猝灭影响,降低了多晶料的烧结温度,改善了材料的光输出、能量分辨率等闪烁性能。 | ||
搜索关键词: | 三价铈 离子 掺杂 稀土 硅酸盐 多晶 料及 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料,其特征在于:(1)所述的稀土硅酸盐为硅酸镥、硅酸钇或硅酸镥钇;(2)掺杂的三价铈化合物的克分子百分数为0.2—2%;掺杂后所述的稀土硅酸盐的通式为Ln2(1-x)Ce2xSiO3,式中x=0.002—0.02,Ln为和Lu中的一种或两种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810033832.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于AT89C51单片机的红外报警器
- 下一篇:车道监控机监控装置