[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法无效
申请号: | 200810034157.0 | 申请日: | 2008-03-03 |
公开(公告)号: | CN101236975A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 田广彦 | 申请(专利权)人: | 上海广电光电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 200233上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,此薄膜晶体管阵列基板包括一基板;多条栅线与多条数据线,配置于基板上,且这些栅线与数据线相交以定义多个像素区域;多个像素结构,配置于基板上的各像素区域中,其中各像素结构包括一薄膜晶体管和一像素电极,薄膜晶体管的源极通过接触孔电性连接所述像素电极,薄膜晶体管的漏极位于栅线与数据线的交叉部。由于本发明的薄膜晶体管阵列基板中的薄膜晶体管的漏极和栅线和数据线的交叉部共用,这种结构能够减小栅线和数据线的耦合电容,从而降低栅线和数据线的信号延迟。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于包括:一基板;多条栅线与多条数据线,配置于所述基板上,其中所述栅线与数据线相交以定义多个像素区域;多个像素结构,配置于所述基板上的各像素区域中,其中各像素结构包括一薄膜晶体管和一像素电极,所述薄膜晶体管的源极通过接触孔电性连接所述像素电极,所述薄膜晶体管的漏极位于所述栅线与数据线的交叉部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的