[发明专利]掩模版的修复方法无效
| 申请号： | 200810034381.X | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101526731A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 钱芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 201023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掩模版的修复方法，包括如下步骤：提供待修复掩模版，包括存在缺陷的掩模图形；提供副本掩模版，包括未被刻蚀的遮光层，遮光层的面积大于所述待修复掩模版中存在缺陷的掩模图形的面积；采用副本掩模版制作掩模图形副本；利用掩模图形副本的数据，修复待修复掩模版中存在缺陷的掩模图形。本发明的优点在于，解决了可以在待修复掩模版表面无可复制图形的情况下修复掩模版的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 模版 修复 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩模版的修复方法，其特征在于，包括如下步骤：提供待修复掩模版，包括存在缺陷的掩模图形；提供副本掩模版，包括未被刻蚀的遮光层，遮光层的面积大于所述待修复掩模版中存在缺陷的掩模图形的面积；采用副本掩模版制作掩模图形副本；利用掩模图形副本的数据，修复待修复掩模版中存在缺陷的掩模图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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