[发明专利]一种基于二极管选通的电阻存储器件及其制造方法

摘要

本发明属微电子技术领域，具体为一种基于二极管选通的电阻随机存储器件及其制造方法。其选通二极管是通过与CMOS工艺兼容的技术形成于衬底硅中，并与电阻存储单元集成制造形成电阻存储器，存储单元结构简单，相比三极管和场效应管选通的存储器件具有更高的存储密度，同时制造工艺过程相对简单可靠。

主权项

1.一种基于二极管选通的电阻随机存储器件，其特征包括：第一导电型的半导体衬底；在所述半导体衬底上的构图形成的多条平行字线，所述字线具有不同于第一导电型的第二导电型；多条所述平行字线之间的形成于衬底硅中的第一绝缘隔离层；在各条所述字线的厚度方向的上表面层构图掺杂形成的、沿字线长度方向上一维构图排列的、具有第二导电型的第一半导体；在所述第一半导体的厚度方向的上表层构图掺杂形成的、具有第二导电型的第二半导体；填充于所述第一半导体之间间隙区和所述第二半导体之间间隙区的第二绝缘隔离层；形成于第二半导体上表层的金属硅化物层；与所述金属硅化物层电导通连接的金属层；通过氧化形成于所述金属层之上的金属氧化物电阻存储层；多条电连接于所述金属氧化物电阻存储材料的空间垂直于字线的多条位线。