[发明专利]利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法无效
| 申请号： | 200810034853.1 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101252089A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 王国栋;郑平 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/00;H01L23/473 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微电子技术领域的利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法，步骤为：步骤一，通过微加工的方法将微电子芯片固定在硼硅酸玻璃上；步骤二，通过微加工中的蚀刻工艺，在<100>硅片上蚀刻微通道；步骤三，通过微加工中的阳极扩散焊工艺，将蚀刻有微通道的硅片和固定有微电子芯片的硼硅酸玻璃键合在一起，形成一端为入口、另一端为出口的具有良好密封性的微通道；步骤四，提供常温下的水从微通道的入口注入，水和微电子芯片直接接触进行冷却后从通道的出口排出。本发明可以对热流密度高达14.41MW/m2的微电子芯片(长为2mm，宽为0.2mm)进行有效冷却，是传统冷却技术极限的十几倍。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 汽泡 喷射 沸腾 冷却 微电子 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，通过微加工的方法将微电子芯片固定在硼硅酸玻璃上；步骤二，通过微加工中的蚀刻工艺，在<100>硅片上蚀刻微通道；步骤三，通过微加工中的阳极扩散焊工艺，将蚀刻有微通道的硅片和固定有微电子芯片的硼硅酸玻璃键合在一起，形成一端为入口、另一端为出口的具有良好密封性的微通道；步骤四，提供常温下的水从微通道的入口注入，水和微电子芯片直接接触进行冷却后从通道的出口排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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