[发明专利]一种控制掩模版CD值的清洗方法有效

专利信息
申请号: 200810035896.1 申请日: 2008-04-10
公开(公告)号: CN101556429A 公开(公告)日: 2009-10-14
发明(设计)人: 黄烈敏 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所 代理人: 屈 蘅;李时云
地址: 2012*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种控制掩模版CD值的清洗方法,它包括以下步骤:1.得出掩模版CD值随第二次硫酸清洗时间变化的改变幅度以及随双氧水注入量变化的改变幅度;2.采集掩模版CD数据,根据掩模版CD值超出预期制定CD值范围的幅度依据步骤1确定第二次硫酸清洗时间,及/或双氧水注入量;3.根据步骤2确定的第二次硫酸清洗时间,及/或双氧水注入量对掩模版清洗;4.再采集掩模版上CD值,判断CD值是否预期制定范围内;是,则清洗完成;否,则返回步骤2。本发明方法通过有效调整第二次硫酸清洗时间以及双氧水注入量来达到控制掩模版CD值的目的,解决CD值不符合要求的掩模版报废的问题。
搜索关键词: 一种 控制 模版 cd 清洗 方法
【主权项】:
1、一种控制掩模版CD值的清洗方法,采用硫酸和双氧水对掩模版进行两次清洗,其特征在于,它包括以下步骤:步骤1:保持两次硫酸的温度、第一次清洗时间以及两次双氧水注入量恒定,采集不同第二次硫酸清洗时间对应掩模版上CD值改变幅度的数据;保持两次硫酸温度和清洗时间恒定,采集不同双氧水注入量对应掩模版上CD值改变幅度的数据;步骤2:采集掩模版上CD值超出预期制定范围幅度的数据,依据步骤1中得出的掩模版上CD值随硫酸清洗时间变化而改变的幅度数据来确定第二次硫酸清洗时间,及/或依据步骤1中得出的掩模版上CD值随双氧水注入量变化而改变的幅度数据来确定双氧水的用量;步骤3:依据步骤2确定的第二次硫酸清洗时间,及/或确定的双氧水注入量对所述掩模版进行清洗;步骤4:再次采集掩模版上CD值,若采集的CD值在预期制定范围内,掩模版清洗完毕;若采集的CD值不在预期制定范围内,返回步骤2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810035896.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top