[发明专利]一种控制掩模版CD值的清洗方法有效
申请号: | 200810035896.1 | 申请日: | 2008-04-10 |
公开(公告)号: | CN101556429A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 黄烈敏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈 蘅;李时云 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种控制掩模版CD值的清洗方法,它包括以下步骤:1.得出掩模版CD值随第二次硫酸清洗时间变化的改变幅度以及随双氧水注入量变化的改变幅度;2.采集掩模版CD数据,根据掩模版CD值超出预期制定CD值范围的幅度依据步骤1确定第二次硫酸清洗时间,及/或双氧水注入量;3.根据步骤2确定的第二次硫酸清洗时间,及/或双氧水注入量对掩模版清洗;4.再采集掩模版上CD值,判断CD值是否预期制定范围内;是,则清洗完成;否,则返回步骤2。本发明方法通过有效调整第二次硫酸清洗时间以及双氧水注入量来达到控制掩模版CD值的目的,解决CD值不符合要求的掩模版报废的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 控制 模版 cd 清洗 方法 | ||
【主权项】:
1、一种控制掩模版CD值的清洗方法,采用硫酸和双氧水对掩模版进行两次清洗,其特征在于,它包括以下步骤:步骤1:保持两次硫酸的温度、第一次清洗时间以及两次双氧水注入量恒定,采集不同第二次硫酸清洗时间对应掩模版上CD值改变幅度的数据;保持两次硫酸温度和清洗时间恒定,采集不同双氧水注入量对应掩模版上CD值改变幅度的数据;步骤2:采集掩模版上CD值超出预期制定范围幅度的数据,依据步骤1中得出的掩模版上CD值随硫酸清洗时间变化而改变的幅度数据来确定第二次硫酸清洗时间,及/或依据步骤1中得出的掩模版上CD值随双氧水注入量变化而改变的幅度数据来确定双氧水的用量;步骤3:依据步骤2确定的第二次硫酸清洗时间,及/或确定的双氧水注入量对所述掩模版进行清洗;步骤4:再次采集掩模版上CD值,若采集的CD值在预期制定范围内,掩模版清洗完毕;若采集的CD值不在预期制定范围内,返回步骤2。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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