[发明专利]一种可减小等离子损伤效应的MOS电容有效
| 申请号： | 200810035899.5 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101556970A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 陆黎明;赵永 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可减小等离子损伤效应的MOS电容，制作在硅衬底上，其具有栅极以及设置在金属层中且与栅极连接的栅极金属垫。现有技术中栅极金属垫中无金属跳线，随着最小特征尺寸和栅氧厚度的不断减小，制造栅极金属垫时易因等离子损伤效应而在栅氧化层上产生等离子损伤，故对MOS电容的质量和可靠性产生不良影响。本发明中的栅极金属垫从其第一层导线处分离为上下两部分，且其第一层导线分离为分别与该上下两部分连接的第一和第二导线段，金属跳线跨设在该第一和第二导线段间。采用本发明可大大提高MOS电容的质量和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 等离子 损伤 效应 mos 电容 | ||
【主权项】：
1、一种可减小等离子损伤效应的MOS电容，制作在硅衬底上，其具有栅极以及设置在金属层中且与栅极连接的栅极金属垫，其特征在于，该栅极金属垫从其第一层导线处分离为上下两部分，且其第一层导线分离为分别与该上下两部分连接的第一和第二导线段，金属跳线跨设在该第一和第二导线段间。
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