[发明专利]利用多晶硅基脚特性实现低漏电流的PMOS器件的加工方法有效
| 申请号： | 200810036944.9 | 申请日： | 2008-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101572234A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 李家豪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及制造MOS器件的方法，更具体涉及利用多晶硅基脚特性实现低漏电流的PMOS器件的加工方法。该方法包括提供半导体衬底。形成覆盖半导体衬底的栅极介电层和覆盖所述栅极介电层的多晶硅栅极。多晶硅栅极的特征在于厚度、宽度和多晶硅基脚外形。在一个具体的实施方案中，所述方法进行TCAD模拟并由所述模型确定由于多晶硅基脚外形的器件性能的响应。所述方法使用模型提供制造多晶硅栅极的工艺控制窗。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 多晶 基脚 特性 实现 漏电 pmos 器件 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造pMOS器件的方法，所述方法包括：提供包括表面区域的半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底的所示表面区域的栅极介电层；形成覆盖所述栅极介电层的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极的特征在于厚度、宽度和多晶硅基脚外形；提供所述多晶硅基脚外形的模拟模型；由所述模型确定由于所述多晶硅基脚外形的器件性能的响应；和由所述多晶硅基脚外形的所示模型提供工艺控制窗，用于制造所述多晶硅栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
