[发明专利]一种用于Pseudo－MOS表征的测试台及其测试方法无效
| 申请号： | 200810036965.0 | 申请日： | 2008-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101271137A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 张恩霞;言智;于治水;曹阳根;何佳;黄晨 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 上海三方专利事务所 | 代理人： | 吴干权 |
| 地址： | 201620*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域制造测试领域，具体地是一种用于半导体薄膜材料电学性能表征的Pseudo－MOS测试台及其测试方法，包括测试台、测试台架、固定配件、导电载物台及测试屏蔽盒，其特征在于：还包括压力控制系统、探针定位系统，测试台上装有导电载物台及测试屏蔽盒，压力控制系统、探针定位系统采用固定配件安装在测试台架上；本发明的有益效果是：该测试台在样品不接受外界光电干预的条件下便可以对样品施加相应的电流、电压，从而对半导体薄膜样品进行电学性能测试，测试的数据非常精确，而且测试周期短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 pseudo mos 表征 测试 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于Pseudo-MOS表征的测试台，包括测试台、测试台架、固定配件、导电载物台及测试屏蔽盒，其特征在于：还包括压力控制系统、探针定位系统，测试台上装有导电载物台及测试屏蔽盒，压力控制系统、探针定位系统采用固定配件安装在测试台架上。
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