[发明专利]稀土242相控制组分生长超导块材的方法无效

专利信息
申请号: 200810037418.4 申请日: 2008-05-15
公开(公告)号: CN101319380A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 姚忻;孙立杰;黄宜斌;程玲 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B19/00;H01B12/06;C04B35/01
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 毛翠莹
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种稀土242相控制组分生长超导块材的方法,在前驱体中添加轻稀土242(LRE2Ba4Cu2O9,LRE=Nd,Sm等)相粉末来控制组分,先按比例将研磨烧结后的LRE123和LRE242粉末混合研磨,压制成前驱体片,然后在其顶部放上相应的籽晶,通过熔融织构方法制备LRE-BCO块体材料。本发明采用富钡的稀土242相粉末在高温熔融状态下可以调整熔体组分,有效抑制包晶反应过程中出现的轻稀土元素和钡元素的替代情况,提高制备的轻稀土钡铜氧超导体的超导转变温度和其它性能。
搜索关键词: 稀土 242 控制 组分 生长 超导 方法
【主权项】:
1、一种轻稀土242相控制组分生长超导块材的方法,其特征在于包括如下步骤:1)按照LRE∶Ba∶Cu=1∶2∶3和LRE∶Ba∶Cu=2∶4∶2的比例将LRE2O3,BaCO3,CuO粉末混合成LRE123和LRE242的前驱粉末;2)前驱粉末经过研磨后,LRE123前驱粉在空气气氛下900℃下烧结48小时,LRE242前驱粉在氮气环境下810℃烧结12小时;该研磨、烧结过程共重复3遍,以获得纯相的小尺度LRE123和LRE242粉末;3)将烧结成相后的LRE123粉末和LRE242粉末按LRE123+(10~30)mol%LRE242的比例混合均匀,压制成前驱体片,顶部放上籽晶控制生长取向;4)将前驱体片放在MgO单晶衬底上,整个体系放入密封系统中;5)2小时升温至LRE-BCO的包晶熔化温度以下20-50℃,保温1小时;继续加热,2小时升温至包晶温度以上30±5℃,保温1.5小时;6)在15分钟内将温度降低至包晶反应温度,然后以每小时0.5℃的速率降温20-40小时,最后淬火制得超导块体材料。
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