[发明专利]大面积纳米线P-N结阵列及其制备方法无效
| 申请号： | 200810037746.4 | 申请日： | 2008-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101587830A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 周伟民;钮晓鸣;宋志棠;闵国全;刘彦伯;李小丽;万永忠;张静;封松林 | 申请（专利权）人： | 上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/308;B82B3/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于纳米线P-N结阵列制备和纳米加工方法，尤其是硅纳米线P-N结阵列(SiNW P-N junction array)的纳米加工方法。其特征在于：采用纳米压印技术制作纳米线P-N结阵列，与现有的技术相比，本发明具有易于大面积制作、低成本和高产等优点，适合工业化生产，为具有P-N结构的纳电子器件的构筑提供了一种简单的高效加工途径。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线P-N结阵列的新型纳米加工方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
