[发明专利]一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法

摘要

本发明公开了一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法，主要采用化学湿法刻蚀技术在硅衬底上制作出硅纳米线阵列，然后应用无磷镀液在其上进行无电镍薄膜的沉积，最后通过RTA强化镍－硅纳米线结构的稳定性。该发明有如下特点：1.与集成电路工艺兼容，采用化学湿法刻蚀，技术简单易行，成本低廉，成功率高；制作出的纳米线尺度较均匀，平均高度30μm，直径约60nm。2.采用无磷无电镀的化学方法对硅纳米线的表面进行金属镍沉积，克服了传统的无电镀技术中镍磷合金的产生，从而提高了该Ni/Si纳米线结构的电学、磁学、传感器的敏感等性能。该技术有很多优势，如：低温、所需器材简单、镀层均匀等。

主权项

1、一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法，其制备步骤为：1)化学湿法刻蚀制作硅纳米线：(a)选用P型或N型的单面抛光的硅片，切割成1cm×1cm样片，RCA标准程序清洗；在常温常压下放入由35mM/L硝酸银溶液、20％氢氟酸溶液和去离子水按体积比为1∶1∶2混合制作的刻蚀液中刻蚀35～50min；(b)用浓硝酸和去离子水1∶2混合溶液除去硅纳米线表面的残留的银颗粒，再用去离子水充分清洗，放入烘干箱中于90～130℃烘干备用；2)无电沉积镍薄层：将硅纳米线衬底在表面活性剂十二烷基硫酸钠溶液中浸泡35-45s进行表面活化，增加其亲水性；再将其置于用浓氨水滴定调Ph值为8.5～9.5的无电镀液中，无电镀液用水浴保持温度在78±4℃，反应25～35min；然后用80±5℃去离子水冲洗并再次放入烘箱90～130℃烘干，得到Ni-SiNWs阵列复合结构样品。