[发明专利]一种硅纳米管的制备方法无效
| 申请号： | 200810038215.7 | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101284667A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 陈扬文;江素华;邵丙铣;王炜 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;张磊 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是一种硅纳米管的制备方法，该方法采用SiO和Si等混合粉末为起始原料，以少量稀土元素为间接催化剂，在较高温度、较低的气体压力条件下，使原料热蒸发并在合适的沉积温度下，依靠硅原子的堆积成核，制备了具有空心结构的硅纳米管。该方法制备硅纳米管工艺简单，设备廉价，并且硅纳米管的晶体结构完整，能够满足工业要求。硅纳米管的成功制备不仅为将来其广泛应用于纳米电子器件提供了实物基础，也进一步从实验角度验证了硅纳米管的理论研究。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅纳米管的制备方法，其特征在于具体步骤为：将硅粉、一氧化硅粉末和催化剂稀土元素镧混合，其中一氧化硅粉末和硅粉的质量比值为0.5～2.0，镧的用量为一氧化硅粉末和硅粉总质量的1～3％；将混合粉末至于高温管式炉中，经程序升温后，管式炉温度控制在1250～1300℃将固体混合粉末气化，气化时间2～5h，在炉内温度为850～950℃处放置供硅纳米管生长的衬底，并以10～500Pa的氩气为保护气体和载气，载气流量控制在50～150标准状态毫升/分，将气化的硅源带到温度较低的衬底上沉积，在此衬底上硅原子堆积成核，并长大，得到硅纳米管。
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