[发明专利]一种等离子刻蚀残留物清洗液无效
| 申请号： | 200810038695.7 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101597548A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修;彭杏;于昊 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32;C11D7/50;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201201上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子刻蚀残留物清洗液，其含有溶剂、水、氟化物和螯合剂，其特征在于：其还含有羟基叔胺和羟基伯胺。本发明的等离子刻蚀残留物清洗液可以有效地清洗金属和半导体制造过程中产生的等离子刻蚀残留物，并且可以使金属晶圆在清洗时金属细线比较光滑；其可以在一个温度比较大的范围内发挥作用，同时还保持较小的金属和电介物质刻蚀率；其在保持了较低的金属铝和非金属TEOS腐蚀速率的基础上，有效地降低了铜的腐蚀；其清洗能力强，且具有较大的操作窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 刻蚀 残留物 清洗 | ||
【主权项】：
1、一种等离子刻蚀残留物清洗液，其含有溶剂、水、氟化物和螯合剂，其特征在于：其还含有羟基叔胺和羟基伯胺。
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