[发明专利]高比表面积纳米中孔钴系尖晶石材料以及制备方法无效
| 申请号： | 200810038862.8 | 申请日： | 2008-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101293676A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 王艳芹;徐文杰;刘晓晖;卢冠忠;刘慧慧;任家文;郭耘;郭杨龙;张志刚;王筠松 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C01G51/00 | 分类号： | C01G51/00;C01G37/14;C01F7/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高比表面积纳米中孔钴系尖晶石材料以及制备方法，钴系尖晶石的组成为CoII(CoIII2－xMIIIx)O4(0.6≤x＜2)，具有类似尖晶石Co(CoM)O4的晶相，为均一的六方片状多孔纳米颗粒，粒径大小20～100纳米，比表面积为60～300m2/g，孔容为0.15～0.83cm3/g，并且具有中孔纳米结构。本发明的突出特点为：首先通过制备出颗粒均匀的纳米层状双金属氢氧化物作为前驱体，然后将其在有氧条件下低温焙烧，使其板层里的部分CoII氧化为CoIII，调节了尖晶石结构中AII位和BIII位的比例，得到纯的尖晶石相，同时在焙烧过程中层间阴离子和板层氢氧化物的分解以及金属离子的氧化等作用，使板层出现塌陷，产生大量的中孔，形成了特殊的中孔结构。该材料在热、磁、光、电以及催化领域有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 表面积 纳米 中孔钴系 尖晶石 材料 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高比表面积纳米中孔钴系尖晶石材料的制备方法，其特征在于本发明的纳米中孔钴系尖晶石的组成为CoII(CoIII 2-xMIII x)O4，其中0.6≤x＜2，具有类似尖晶石Co(CoM)O4的晶相，为均一的六方片状多孔纳米颗粒，粒径大小20～100纳米，比表面为60～300m2/g，孔容为0.15～0.83cm3/g，并且具有中孔纳米结构。
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