[发明专利]大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体及其制备方法

摘要

本发明涉及一种激光晶体，具体涉及一种大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明的大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体，其化学式为Yb_xSc_1－x)₂SiO₅，其中0.001≤x≤0.2，属于单斜C_2/c空间群结构，稀土阳离子Sc³⁺占据两个结晶学格位。掺杂离子Yb³⁺将取代Sc³⁺所占据的格位，使其吸收和发射峰非均匀加宽，有利于实现宽带可调谐发射。Yb:SSO晶体在1004nm、1036nm和1062nm处具有较高的发射截面(约为2.5－4.5×10^－20cm²)，可以在上述三个激光波长处产生激光振荡。本发明晶体有较大尺寸、晶体光学质量高，及具有高热导率、宽发射谱带和双格位特点，可以应用于低阈值宽调谐超快激光技术领域中。

主权项

1、大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体，其特征在于其化学式为YbxSc1-x)2SiO5，其中0.001≤x≤0.2。