[发明专利]薄膜太阳能电池衬底以及薄膜太阳能电池的制作方法

摘要

一种薄膜太阳能电池衬底的制作方法，包括如下步骤：提供初始衬底；在初始衬底表面生长第一半导体层；将起泡离子注入到初始衬底中；在第一半导体层表面生长第二半导体层；在第二半导体层的表面生长支撑层；退火，从而使初始衬底在起泡离子的注入位置剥离。本发明还提供了一种薄膜太阳能电池的制作方法。本发明的优点在于，采用起泡离子注入初始衬底的技术，通过退火将初始衬底在起泡离子注入浓度分布达到峰值的位置剥离，即剥离后的衬底的表面是注入离子在初始衬底中浓度形成的高斯分布的峰值位置，此表面仅是受到离子注入工艺的影响，因此表面的损伤比较小，从而可以增加初始衬底重复利用的次数。

主权项

1.一种薄膜太阳能电池衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)提供初始衬底；(b)在初始衬底表面生长第一半导体层；(c)将起泡离子注入到初始衬底中；(d)在第一半导体层表面生长第二半导体层；(e)在第二半导体层的表面生长支撑层；(f)退火，从而使初始衬底在起泡离子的注入位置剥离；其中步骤(c)和步骤(d)的实施顺序可互换。