[发明专利]通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片及其制作工艺无效
| 申请号： | 200810040634.4 | 申请日： | 2008-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101369621A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 殷录桥;张建华;马可军;李抒智;杨卫桥;郭延生 | 申请（专利权）人： | 上海大学;上海半导体照明工程技术研究中心 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片及其制作工艺，它包括：p型电极pad、n型电极pad、发光有源层、衬底和透明电流扩展层，在芯片四周有淀积的绝缘层至与发光有源层齐平，在芯片四周除n型电极pad附近外，绝缘层的上方有辅助电流扩展层，在辅助电流扩展层上制作p型金pad。本发明通过减少对出光的遮挡，从而达到提高发光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 延伸 电极 减少 遮挡 提高 效率 发光二极管 芯片 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片，包括：p型电极pad(1)、n型电极pad(2)、发光有源层(3)、衬底(4)和透明电流扩展层(5)，其特征在于在芯片四周有淀积的绝缘层(7)与发光有源层(3)齐平，在芯片四周n型金pad除外，绝缘层(7)上方有辅助电流扩展层(6)，在辅助电流扩展层(6)上制作p型近pad。
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