[发明专利]形成具有铜互连的导电凸块的方法和系统无效
| 申请号： | 200810040739.X | 申请日： | 2008-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101630667A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;陈国庆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/522;H01L23/532;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供具有一个或多个铜互连的集成电路系统。所述一个或多个铜互连与衬底导电接触。所述集成电路系统包括第一介电层、和填充穿过第一介电层的第一通孔的铜材料。另外，所述集成电路系统包括与第一介电层接触的第二介电层、和扩散阻挡层。扩散阻挡层至少部分填充穿过第二介电层的第二通孔。扩散阻挡层的至少第一部分与铜材料直接接触，并且扩散阻挡层的至少第二部分与第二介电层直接接触。此外，所述集成电路系统包括至少部分填充第二通孔的金材料。金材料通过扩散阻挡层与铜材料导电连接，并且与衬底导电连接。此外，还提供一种制备这种具有一个或多个铜互连的集成电路系统的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 互连 导电 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种具有一个或多个铜互连的集成电路系统，所述一个或多个铜互连与衬底导电接触，所述集成电路系统包括：第一介电层；填充穿过所述第一介电层的第一通孔的铜材料；与所述第一介质层接触的第二介电层；扩散阻挡层，所述扩散阻挡层至少部分填充穿过所述第二介电层的第二通孔，所述扩散阻挡层的至少第一部分与所述铜材料直接接触，所述扩散阻挡层的至少第二部分与所述第二介电层直接接触；和至少部分填充所述第二通孔的金材料，所述金材料通过所述扩散阻挡层与所述铜材料导电连接并且与所述衬底导电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810040739.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
