[发明专利]一种可提高交换偏置场大小和增强交换偏置稳定性的合金薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810040937.6 | 申请日： | 2008-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101409134A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 周仕明;胡海宁 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海电力学院 |
| 主分类号： | H01F10/14 | 分类号： | H01F10/14;H01F10/18;H01F41/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆 飞;张 磊 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于磁电子学和磁性超薄膜材料技术领域，具体涉及一种可提高交换偏置场大小和增强交换偏置稳定性的合金薄膜及其制备方法。本方法不同于传统的单一反铁磁材料生长，或常规的原子替位的掺杂生长。使用MgO与FeMn共溅的方法，使反铁磁层形成非原子替位的颗粒膜。由此完成的交换偏置双层膜样品可显著提高交换偏置场并且减小磁锻炼效应，增强稳定性。这种独特的掺杂方法有助于进一步提高交换偏置场和增强交换偏置和自旋阀样品的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 交换 偏置 大小 增强 稳定性 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可提高交换偏置场大小和增强交换偏置稳定性的合金薄膜，其特征在于，其结构为，在玻璃或单晶硅或碳化硅的衬底上，从下至上依次为3～9nm的铜膜Cu/3～9nm的镍铁膜NiFe/2～15nm铁锰氧化镁膜FeMn(1-x)MgO(x)/6～9nm的金膜Au，其中铁锰氧化镁膜中的x为0.01～0.025。
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