[发明专利]层间介质层的制作方法无效
| 申请号： | 200810041366.8 | 申请日： | 2008-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101645411A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 邓永平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种层间介质层的制作方法，层间介质层制作在晶圆器件层表面上，结合化学机械抛光制作。本发明层间介质层的制作方法包括以下步骤：a.在器件层表面形成第一介质层；b.在第一介质层上形成与第一介质层材料相异的第二介质层；c.主抛光第二介质层，至第二介质层与第一介质层界面；d.过抛光第一介质层，形成厚度与预设接触孔深度相同的层间介质层。本发明通过制作两层相异材料的介质层，利用相异材料的界面实现主抛光去除第二介质层，可有效克服传统层间介质层的制作时利用较长抛光时间控制单一材料的介质层抛光量易导致的各晶圆上层间介质层厚度不等的弊端。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种层间介质层的制作方法，所述层间介质层内欲形成预设深度的接触孔，其特征在于，包括以下步骤：a、在所述的器件层表面形成第一介质层；b、在所述的第一介质层上形成与所述第一介质层材料相异的第二介质层；c、主抛光第二介质层，至第二介质层与第一介质层的界面；d、过抛光第一介质层，形成厚度与预设接触孔深度相同的层间介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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