[发明专利]基于微加工技术的介质阻挡微放电结构无效
申请号: | 200810041671.7 | 申请日: | 2008-08-14 |
公开(公告)号: | CN101339162A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 张亚非;刘海;陈晓航;侯中宇;徐东 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G01N27/68 | 分类号: | G01N27/68;G01N21/67 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种微电子技术领域的基于微加工技术的介质阻挡微放电结构。本发明包括:衬底、介电质、微电极单元、所述的微电极单元设置在衬底上,所述的微放电结构由相邻的一对或多对阴阳微电极单元组成,所述的介电质覆盖在微放电单元。本发明适用微电子加工技术加工,能有效的抑制测试气体的击穿电流的自由增长,从而使传感器单元工作更加稳定和安全,延长了其使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 基于 加工 技术 介质 阻挡 放电 结构 | ||
【主权项】:
1.一种基于微加工技术的介质阻挡微放电结构,包括:衬底(1)、微电极单元(3),其特征在于,还包括介电质(2),所述的微电极单元(3)设置在衬底(1)上,所述的微放电单元(4)由相邻的一对或多对阴阳微电极单元(3)组成,所述的介电质(2)覆盖在微放电单元(4)。
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