[发明专利]化学机械研磨的方法有效
| 申请号： | 200810041827.1 | 申请日： | 2008-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101656209A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;邵颖;黎铭琦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种化学机械研磨的方法，包括，在研磨层上无需研磨的区域形成研磨保护层；选用对研磨层研磨速率大于对研磨保护层研磨速率的研磨浆，对所述研磨层进行化学机械研磨。所述化学机械研磨的方法避免了无需研磨区域的过度研磨，从而避免研磨工艺影响器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械研磨的方法，其特征在于，在研磨层上无需研磨的区域形成研磨保护层；选用对研磨层研磨速率大于对研磨保护层研磨速率的研磨浆，对所述研磨层进行化学机械研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
