[发明专利]有源区结构

摘要

本发明涉及一种有源区结构，有源区为半导体衬底内的第二类有源区，第二类有源区表面覆盖有栅氧化层；栅氧化层上具有与第二类有源区位置对应的源选择栅；第二类有源区中还包括一绝缘物井区，该绝缘物井区与用于连接源选择栅的互连结构的位置对应。本发明的有源区结构通过在第二类有源区中对应于源选择栅的互连结构位置设置绝缘物井区可有效提高源选择栅与其下第二类有源区之间的电阻，提高两者之间的绝缘隔离性，从而解决源选择栅互连结构下的栅氧化层损伤导致的源选择栅与有源区之间漏电流大的问题，降低NAND器件的功耗，提高器件的稳定性。

主权项

1、一种有源区结构，所述有源区为半导体衬底内的第二类有源区，所述第二类有源区表面覆盖有栅氧化层；所述栅氧化层上具有与第二类有源区位置对应的源选择栅；其特征在于，所述第二类有源区中还包括一绝缘物井区，所述绝缘物井区与用于连接源选择栅的互连结构的位置对应。