[发明专利]一种应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法有效
| 申请号： | 200810041890.5 | 申请日： | 2008-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101345208A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法。公开了一种应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法，在半导体衬底上的介质层上形成金属沟槽、接触孔或通孔，该方法包括如下步骤：首先，在该金属沟槽的槽内或接触孔的孔内或通孔的孔内和所述介质层上淀积第一金属膜；然后，在该第一金属膜表面上生成一氮化物膜；最后，在该氮化物膜表面淀积第二金属膜。通过所述方法制作的应用于铜互连扩散阻挡层，不仅能提高台阶覆盖特性，而且可以增强扩散阻挡层和介质的黏附性，可以形成具有较佳物理形貌且具优异阻挡效果的应用于铜互连的扩散阻挡层，避免了后续铜工艺产生孔洞，并且有效提高了芯片的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 互连 扩散 阻挡 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法，在半导体衬底上的介质层上形成金属沟槽、接触孔或通孔，其特征在于，该方法包括如下步骤：首先，在该金属沟槽的槽内或接触孔的孔内或通孔的孔内和所述介质层上淀积第一金属膜；然后，在该第一金属膜表面上生成一氮化物膜；最后，在该氮化物膜表面淀积第二金属膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810041890.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：苦茶油婴幼儿护肤品
- 下一篇：钢铁表面硬化层深度检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
