[发明专利]CuxO电阻随机存储器的制备方法有效
| 申请号： | 200810042507.8 | 申请日： | 2008-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101345288A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;宋雅丽 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种CuxO电阻存储器的制备方法，属于存储器技术领域，所述CuxO电阻存储器的制备方法包括通过活性气体对所述CuxO电阻存储薄膜进行表面改性处理的特征步骤。通过对CuxO薄膜的表面改性处理，改变表面缺陷分布，使CuxO电阻存储器件具有稳定的操作电压、提高存储性能。本发明方法可与现有集成电路工艺兼容，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | cuxo 电阻 随机 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻随机存储器的制造方法，首先在衬底上构图形成Cux0电阻存储薄膜，1＜x≤2，其特征在于包括步骤：通过活性气体，对所述Cux0电阻存储薄膜进行表面改性处理。
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