[发明专利]低电压带隙基准源的安全启动电路

摘要

本发明公开了一种低电压带隙基准源的安全启动电路，包括电流源产生电路，带隙基准源的启动电路，带隙基准源主体电路，带隙基准源的启动电路包括M42，其栅极与电流源产生电路的输出相连接，源极接电源电压Vdd，漏极与M30的漏极以及M35的栅极相连接，M30的源极与Q3的发射极相连接，M30的栅极与M35的源极相连接，M30的衬底和源极短接并接入Q3的发射极，其基极和集电极短接并与地相连，M35的漏极接Vdd，且衬底接地，M32的衬底接地，漏极接M35的源极，并与M30的栅极相连接，M32的源极与INN相连接。本发明能在极低的电压下保证带隙基准源的安全启动。

主权项

1.一种低电压带隙基准源的安全启动电路，包括依次连接的电流源产生电路，带隙基准源的启动电路，带隙基准源主体电路，该电流源产生电路产生带隙基准源启动电路中运放工作的偏置电流，其特征在于，所述的带隙基准源的启动电路包括P型晶体管(M42)，其栅极与电流源产生电路的输出相连接，源极接电源电压(Vdd)，漏极与N型本征晶体管(M30)的漏极以及N型晶体管(M35)的栅极相连接，N型本征晶体管(M30)的源极与PNP三极管(Q3)的发射极相连接，N型本征晶体管(M30)的栅极与N型晶体管(M35)的源极相连接，并且，N型本征晶体管(M30)的衬底和源极短接并接入(Q3)的发射极，PNP三极管(Q3)的基极和集电极短接并与地相连，N型晶体管(M35)的漏极接电源电压(Vdd)，且衬底接地，N型本征晶体管(M32)的衬底接地，漏极与栅极短接后接N型晶体管(M35)的源极，并与N型本征晶体管(M30)的栅极相连接，N型本征晶体管(M32)的源极与带隙基准源主体电路中的运放的负输入端(INN)相连接，带隙基准源主体电路中包含P型晶体管(M11)，其源极与N型本征晶体管(M32)的源极以及运放的负输入端(INN)相连接，电阻(R17)一端与运放的负输入端(INN)相连接，另一端接地，PNP三极管(Q1)的发射极与运放负输入端(INN)相连接，基极与集电极短接并且接地，P型晶体管(M42)上的电流用Ibias表征，而(M11)上的电流用Ibgr来表征，运放负输入端的电位以VINN表征，运放负输入端的电位VINN为电阻(R17)上的电压和(Q1)上电压的和，P型晶体管(M42)上的电流Ibias送入PNP三极管(Q3)和N型本征晶体管(M30)产生了启动电位Vstart，即N型本征晶体管(M32)的栅(源)电位，当Vstart-VINN＞N型本征晶体管M32的阈值电压Vth(M32)，则N型本征晶体管(M32)会导通，则VINN将会被拉高，最终达到Vstart-Vth(M32)。