[发明专利]源漏注入结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件中源漏注入结构的制备方法，其通过先一次光刻显影后的光刻胶图形为掩膜进行轻掺杂漏注入，而后缩小掩膜图形的开口，再以缩小后的掩膜图形进行源漏注入，形成源漏注入区。利用本发明的制备方法，只需一次光刻显影，且省略了侧墙工艺，可广泛用于半导体器件制备中。

主权项

1、一种源漏注入结构的制备方法，所述源漏注入结构包括源漏注入区和轻掺杂漏区，其特征在于，在硅衬底上形成所述半导体器件的栅极之后，包括如下步骤：1)在所述硅衬底表面上淀积一层氧化硅，作为离子注入时的保护层；2)在所述氧化硅上涂光刻胶，用低剂量离子注入区的光刻掩膜版曝光显影，曝出需进行低剂量离子注入的区域，以显影后的光刻胶图形为掩膜，进行离子注入形成轻掺杂漏区；3)对硅片进行烘烤，使光刻胶图形开口缩小至预定的数值范围；4)利用开口尺寸缩小后的光刻胶图形为掩膜，进行源漏离子注入，形成源漏注入区；5)去除光刻胶并清洗。