[发明专利]MOSFET失配模型的建立及仿真方法

摘要

本发明公开了一种MOSFET失配模型的建立及仿真方法，采用BSIM3模型为基础，分为以下步骤：第一步，利用统计原理建立模型参数随机误差统计表达式；第二步，根据模型参数随机误差统计表达式的物理定义，分别在BSIM3模型中选择具有针对性的模型参数，并对其添加统计表达式修正项；第三步，建立对应的SPICE宏模型；第四步，定义修正系数的初始值；第五步，将所述修正系数的初始值代入模型中，调试和仿真模型参数。本发明通过调整模型中失配误差函数修正式的系数，可以使模型精确地描述出实际工艺失配误差的趋势。通过调试参数，实际工艺监控趋势线与模型仿真趋势线可以做到非常接近，该建模方法可以方便且较好地模拟实际工艺的失配统计误差。

主权项

一种MOSFET失配模型的建立及仿真方法，采用BSIM3模型为基础，其特征在于，分为以下步骤：第一步，利用统计原理建立模型参数随机误差统计表达式；与器件的沟道区二维面积成反比的工艺参数的误差表达式为 σ Δq 2 = s 1 , q 2 WL ; 与器件沟道的一维长或宽成反比的工艺参数的误差表达式为 σ ΔL 2 = S 1 , P 2 W , σ ΔW 2 = S 2 , P 2 L ; 第二步，根据模型参数随机误差统计表达式的物理定义，分别在BSIM3模型中选择具有针对性的模型参数，并对其添加统计表达式修正项；第三步，建立对应的SPICE宏模型；第四步，定义修正系数的初始值；第五步，将所述修正系数的初始值代入模型中，调试和仿真模型参数。