[发明专利]精确控制线宽的浅槽隔离工艺有效
| 申请号： | 200810043951.1 | 申请日： | 2008-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101740454A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 吕煜坤;孙娟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种精确控制线宽的浅槽隔离工艺，该方法包括如下步骤：第1步，在硅片表面涂光刻胶，曝光显影后露出刻蚀窗口；第2步，测量刻蚀窗口之间的线宽；第3步，在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅；第4步，干法等离子体去除光刻胶；第5步，湿法化学剥离光刻胶；第6步，测量浅槽隔离结构之间的线宽；本发明的创新之处在于，在第3步和第4步之间增加一步：采用各向同性刻蚀工艺在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅。本发明可以精确控制浅槽隔离工艺的特征尺寸，减少对光刻CD的精度要求，消除光刻返工，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 精确 控制 隔离工艺 | ||
【主权项】：
一种精确控制线宽的浅槽隔离工艺，该方法包括如下步骤：第1步，在硅片表面涂光刻胶，曝光显影后露出刻蚀窗口；第2步，测量刻蚀窗口之间的线宽；第3步，在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅；第4步，干法等离子体去除光刻胶；第5步，湿法化学剥离光刻胶；第6步，测量浅槽隔离结构之间的线宽；其特征是：在第3步和第4步之间增加一步：采用各向同性刻蚀工艺在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
