[发明专利]使用耗尽型晶体管的开路检测器及其使用方法有效
| 申请号： | 200810043958.3 | 申请日： | 2008-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101738559A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 古炯钧;王楠;周平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/02 | 分类号： | G01R31/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用耗尽型晶体管的开路检测器及其使用方法；包括电压泵模块，电压泵模块连接有耗尽型PMOS管，电压泵模块用于输出一个高于芯片基准电压VDD的电平；耗尽型PMOS管连接有开路检测模块，开路检测模块连接基准电压VDD。它可以使得汽车传感器芯片具有开路检测功能，提高系统可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 耗尽 晶体管 开路 检测器 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种使用耗尽型晶体管的开路检测器；其特征在于，包括：电压泵模块，电压泵模块连接有耗尽型PMOS管，电压泵模块用于输出一个高于芯片基准电压VDD的电平；耗尽型PMOS管连接有开路检测模块，开路检测模块连接基准电压VDD。
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