[发明专利]集成电路中的电感及制作方法无效
| 申请号： | 200810044069.9 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101752226A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;罗啸;熊涛;陈瑜;陈雄斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了集成电路中电感的制作方法，包括以下步骤：1，在介质层上淀积一层金属；2，采用光刻工艺定义出电感的图形；3，进行金属层刻蚀，去除光刻胶，形成金属线圈；4，接着淀积介质层，并在介质层上形成通孔；5，填充通孔的填充金属；6，重复步骤1)至步骤5)以增加电感的层数，直到形成最后一层金属线圈。集成电路中的电感，包含多层相互平行的金属线圈，相邻金属线圈通过连接接触孔相连接。利用本发明方法制作的集成电路电感包括多层金属线圈，增强了电感的磁场强度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 中的 电感 制作方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路中电感的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在介质层上淀积一层金属；2)采用光刻工艺定义出电感的图形；3)进行金属层刻蚀，去除光刻胶，形成金属线圈；4)接着淀积介质层，并在介质层上形成通孔；5)填充通孔的填充金属；6)重复步骤1)至步骤5)以增加电感的层数，直到形成最后一层金属线圈。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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