[发明专利]防静电保护电路无效
| 申请号： | 200810044085.8 | 申请日： | 2008-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101752849A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王楠;周平;古炯钧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 周赤 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防静电保护电路，包括一NMOS管和第一PMOS管；该NMOS管衬底同源极相连后接地，栅极接地；第一PMOS管衬底同漏极相连后接该NMOS管漏极，源极接芯片内部电路，栅极同漏极相接。该防静电保护电路，能够实现反向电压保护。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种防静电保护电路，其特征在于，包括一NMOS管和第一PMOS管；该NMOS管衬底同源极相连后接地，栅极接地；第一PMOS管衬底同漏极相连后接该NMOS管漏极，源极接芯片内部电路，栅极同漏极相接。
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