[发明专利]超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池无效
申请号: | 200810044295.7 | 申请日: | 2008-04-28 |
公开(公告)号: | CN101267007A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 张静全;雷智;冯良桓;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;郑家贵 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | H01L31/045 | 分类号: | H01L31/045;H01L31/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610065四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池,属于新能源材料与器件领域。本发明采用柔性超薄石墨片作为衬底材料,在石墨片上溅射一层铜,进行热处理。铜扩散进入石墨形成掺铜石墨片。在掺铜石墨片上沉积一层碲,再沉积碲化镉并进行退火处理。在碲化镉的沉积及退火处理过程中,在石墨片和碲化镉之间形成重掺杂的CuxTe层而实现柔性石墨衬底与碲化镉之间的欧姆接触。然后依次沉积硫化镉、透明导电薄膜和栅状铝电极获得柔性碲化镉薄膜太阳电池。本发明解决了制备高效柔性碲化镉电池所需的较高工艺温度与常规柔性衬底耐受温度低的矛盾。 | ||
搜索关键词: | 超薄 石墨 衬底 碲化镉 太阳电池 | ||
【主权项】:
1、一种超薄石墨片作衬底的碲化镉薄膜太阳电池结构:超薄石墨片/p-CdTe/n-CdS/TC0/Al(栅状),其特征是首先在超薄石墨片上沉积一层铜,然后进行热处理,再沉积一层碲,然后以此进行了处理的石墨片作为衬底依次沉积碲化镉薄膜、硫化镉薄膜、透明导电氧化物薄膜、栅状铝电极,得到碲化镉太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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