[发明专利]一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构无效
申请号: | 200810044717.0 | 申请日: | 2008-06-17 |
公开(公告)号: | CN101299443A | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | 雷智;张静全;冯良桓;李卫;黎兵;武莉莉;蔡亚平 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | H01L31/045 | 分类号: | H01L31/045;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610041四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构,本项发明所属领域为新型能源。为了降低碲化镉太阳电池的成本,扩大电池的应用范围,柔性碲化镉太阳电池将是未来发展方向之一。柔性碲化镉电池面临的难题之一是如何解决金属背电极与碲化镉薄膜欧姆接触,即寻找一种材料,加入到金属电极与碲化镉薄膜之间,有利于p载流子传输。本发明是采用石墨烯作为碲化镉层与金属电极层的过渡层,充分利用石墨烯载流子传输速度高、力学性能好的特点。将结晶石墨进行化学清洗,用带胶的聚酰亚胺薄膜剥离石墨,使得一层石墨烯粘附于聚酰亚胺表面。在此基础上再溅射沉积碲化镉,惰性气体保护下CdCl2退火,溅射沉积硫化镉和ITO薄膜。制作出的柔性碲化镉薄膜电池具有重量轻、成本低的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 碲化镉 薄膜 太阳电池 结构 | ||
【主权项】:
1.一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构,其特征是在带胶聚酰亚胺上粘附一层石墨烯,用溅射方法在石墨烯上沉积碲化镉,然后进行CdCl2退火,用溅射方法沉积硫化镉和ITO,在ITO层和石墨烯上焊铟并引出连接导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的