[发明专利]一种高导热、高抗折强度氧化铍陶瓷材料的制备方法无效
申请号: | 200810045148.1 | 申请日: | 2008-01-10 |
公开(公告)号: | CN101219899A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 钟朝位;张树人;梁健 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/64 | 分类号: | C04B35/64;C04B35/63;C04B35/08 |
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地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域,涉及氧化铍陶瓷材料的制备方法。本发明采用BeO原料和助烧剂分别分散并研磨的方式控制原料粒径,然后采用湿磨方式将二者均匀混合,经烘干、造粒并成型后采用本发明独特的三段式烧结方式烧结:首先在1000℃到1400℃之间保温0.5~4小时,然后以3℃~8℃/min的升温速度升温到1620℃到1680℃之间,最后快速降温至1520℃到1580℃之间并保温2~6小时。本发明所制备的BeO陶瓷晶粒大小可控、一致性和重复性好;采用独特的三段式烧结方式,使得最终BeO陶瓷结构均匀致密,从而提高了最终BeO陶瓷材料的热导率和抗折强度。本发明制备的BeO陶瓷材料作为高导热主体关键材料,可用于微波、毫米波、大功率、高组装密度的电子元器件或组件中起承载导热功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 导热 高抗折 强度 氧化铍 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高热导率、高抗折强度氧化铍陶瓷材料的制备方法,其特征是,包括如下步骤:步骤一、瓷料生坯的制备,具体包括以下分步骤:步骤1将BeO原料和Mg、Al、Si助烧剂分别分散并研磨成浆料;控制BeO原料浆料的平均粒度在1.0μm以下,浓度在30~60%之间;控制助烧剂浆料的平均粒度在0.5μm以下,浓度在1~30%之间;步骤2将步骤1所得的助烧剂浆料按一定比例注入到步骤1所得的BeO原料的浆料中再混磨,具体注入比例为助烧剂浆料中助烧剂含量不超过BeO原料的浆料中所含BeO原料质量的0.5%;步骤3将步骤2所得的BeO原料和助烧剂的混合浆料烘干、造粒,在按照实际所需的形状成型;步骤二、将步骤一所得的瓷料生坯采取三段式烧结方式烧结,具体包括如下分步骤:步骤4第一阶段烧结:在1000℃到1400℃之间的温度条件下保温烧结0.5~4小时,使瓷料生坯的粉末状微粒之间产生粘结,微粒的接触面积均匀增大,微粒的中心相互靠近、聚居,细小晶粒之间产生晶界;步骤5第二阶段烧结:在第一阶段烧结完成后,以3℃~8℃/min的升温速度升温到1620℃到1680℃之间,使晶界获得较大的推力;步骤6第三阶段烧结:在第二阶段烧结完成后,快速降温至1520℃到1580℃之间并保温烧结2~6小时,晶界在第二阶段烧结过程中获得较大的推力后,带着气孔一起前进,不使气孔包入晶粒的内部,使烧结体中原来连通的孔隙不段缩小,最终气孔被排除,实现烧结体的致密化。
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