[发明专利]大尺寸无核心YAG系列激光晶体的生长装置及其生长方法有效

专利信息
申请号: 200810045574.5 申请日: 2008-07-16
公开(公告)号: CN101338453A 公开(公告)日: 2009-01-07
发明(设计)人: 周世斌;汤海涛;罗文科;宋玉玲 申请(专利权)人: 成都东骏激光有限责任公司
主分类号: C30B29/28 分类号: C30B29/28;C30B15/00
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 代理人: 王芸;吴彦峰
地址: 611630四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种大尺寸无核心YAG系列激光晶体的生长装置及其生长方法;本发明属于激光晶体结晶工艺学领域;包括主要采用电阻加热钼坩埚提拉法的生长装置以及分为两个步骤四个阶段的晶体生长方法;通过本发明可获得直径35~50mm的大尺寸、高浓度(可达2.0at%)、无核心、无位错、无散射的YAG系列激光晶体,并且该生长技术工艺稳定、生长周期短、成本低、晶体成品率高,大于85%。
搜索关键词: 尺寸 核心 yag 系列 激光 晶体 生长 装置 及其 方法
【主权项】:
1、一种大尺寸无核心YAG系列激光晶体的生长装置,包括通过氧化铝垫片(19)连接电极板(16)的托盘(15),以及置于托盘(15)上的钼侧保温屏(10、11、12),钼侧保温屏(10、11、12)上端设有钼上保温屏(5、6、7),其特征在于,钼侧保温屏(12)内侧装有电阻加热器(13),电阻加热器(13)直接与电极板(16)连接,钼埚托(9)通过石墨接头(18)与单晶炉的下传动系统连接,石墨接头(18)和钼埚托(9)之间设有钼台罩(17),钼埚托(9)上设有钼坩埚(8),钼坩埚(8)内装有熔体(4),钼坩埚(8)直径为90~130mm,钼坩埚(8)的高度为直径的1/2~3/4,电阻加热器(13)设置在钼坩埚(8)的周围,钼坩埚(8)与电阻加热器(13)之间的径向间距为5~12mm,电阻加热器(13)和钼侧保温屏(12)之间还设有内屏蔽筒(14),钼坩埚(8)上方设有钼籽晶杆(1),钼籽晶杆(1)下端装有籽晶(2),籽晶(2)下端位于熔体(4)上方,且钼籽晶杆(1)、籽晶(2)均位于钼上保温屏(5、6、7)的中孔内侧,钼上保温屏(5、6、7)的中孔直径为晶体(3)直径的1.5~2倍。
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