[发明专利]电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法无效
| 申请号： | 200810045603.8 | 申请日： | 2008-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101314842A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 廖志君;刘振良;杨水长;卢铁城;伍登学;范强;刘成士;赵利利 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/06 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人： | 黄幼陵 |
| 地址： | 610065四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法，将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中，将清洗、干燥后的基片放到电子束蒸发设备的加热电炉上，使基片位于坩埚正上方20cm～30cm处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度不小于6.0×10－3Pa，基片温度控制在室温～450℃，调节电子束使其聚焦到膜料上的斑点最小，控制束流值在100mA～180mA，沉积时间为5min～120min。此种方法既可制备非晶态碳化硼薄膜，又可制备多晶结构的碳化硼薄膜，还可制备各种不同B、C成分配比的碳化硼薄膜，而且所制备的碳化硼薄膜表面光滑、薄膜致密、均匀性良好。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 蒸发 技术 制备 碳化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中，将清洗、干燥后的基片放到电子束蒸发设备的加热电炉上，使基片位于坩埚正上方20cm～30cm处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度不小于6.0×10-3Pa，基片温度控制在室温～450℃，调节电子束使其聚焦到膜料上的斑点最小，控制束流值在100mA～180mA，沉积时间为5min～120min。
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