[发明专利]大尺寸蓝宝石晶体制备技术及其生长装置有效
| 申请号： | 200810045666.3 | 申请日： | 2008-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101323978A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王国强;周世斌;邱一豇;肖兵 | 申请（专利权）人： | 成都东骏激光有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/20 | 分类号： | C30B29/20;C30B11/00 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭立琼 |
| 地址： | 611630四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大尺寸蓝宝石晶体制备技术及其生长装置，所述制备技术包括如下步骤：(1)将称量好的高纯三氧化二铝装入钼坩埚中，抽真空至炉内气压小于10－3Pa时，充保护气氛，炉压为－90～+20KPa；(2)加热至原料充分熔化，恒温3～5h；(3)籽晶下保温下降15－120mm，然后钼坩埚下降，下降距离为坩埚的高度；(4)炉内温度降至1600～1750℃；(5)钼坩埚回升至加热区，恒温100－150h；缓慢降温至室温。采用本发明技术，具有装置结构简单、制造成本低，制备技术稳定性好、过程可靠、气泡易排除、成品率高的特点，可生长出大尺寸、位错密度小的高质量的蓝宝石单晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 蓝宝石 晶体 制备 技术 及其 生长 装置 | ||
【主权项】：
1、一种大尺寸蓝宝石晶体制备技术，其特征在于：包括如下步骤：(1)将称量好的高纯三氧化二铝(纯度≥99.995％)装入钼坩埚中，抽真空至炉内气压小于10-3Pa，充保护气氛至炉压为-90～+20KPa；(2)加热升温，升温速率500W～1000W/h，至原料充分熔化后，恒温3～5h；(3)炉膛内的籽晶下保温下降15-120mm，然后钼坩埚下降，下降距离为坩埚的高度，下降速率0.5～3.0mm/h；(4)降温，炉内温度降至1600～1750℃，降温速率为100W～300W/h；(5)钼坩埚回升至加热区，原位退火，1600～1750℃恒温100-150h；(6)缓慢降温至室温，降温速率50W～100W/h，继续通循环冷却水24～36h，取出晶体。
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