[发明专利]高透光导电膜系有效
| 申请号： | 200810046218.5 | 申请日： | 2008-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN101713834A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 甘国工 | 申请（专利权）人： | 甘国工 |
| 主分类号： | G02B1/11 | 分类号： | G02B1/11;B32B7/02;G06F3/041 |
| 代理公司： | 成都立信专利事务所有限公司 51100 | 代理人： | 江晓萍 |
| 地址： | 610100 四川省成都市龙泉驿区经济*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高透光导电膜系，在透明基材的一表面依次沉积由高折射率无机介质膜和低折射率无机介质膜依次交错排列而形成的至少两层无机介质膜的无机介质膜层，及位于该膜系最外层的透明导电膜层，透明导电膜层的厚度满足方块电阻需要值的厚度8～60nm，至少两层的由高折射率和低折射率无机介质构成的膜层和透明导电膜层都采用真空磁控溅射的方法沉积，从而形成整体透过率达到85％以上的高透光导电膜系。本发明具有高电阻稳定性和高透光性，适用于制造高透光导电材料，特别适用于耐温能力在200℃以下的基材制成的导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 透光 导电 | ||
【主权项】：
一种高透光导电膜系，在透明基材的一表面依次沉积由高折射率无机介质膜、低折射率无机介质膜依次交错排列形成的至少两层无机介质膜的无机介质膜层及位于该无机介质膜层最外层的透明导电膜层，其特征在于透明导电膜层的厚度为满足方块电阻需要的厚度8～60nm，至少两层的由高折射率无机介质膜和低折射率无机介质膜构成的无机介质膜层和透明导电膜层都采用真空磁控溅射的方法沉积，从而形成在380nm～780nm光波长范围内整体透过率达到85％以上的高透光导电膜系。
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