[发明专利]高速平面雪崩光电二极管无效
| 申请号： | 200810047210.0 | 申请日： | 2008-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101271935A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 岳爱文 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 武汉宇晨专利事务所 | 代理人： | 黄瑞棠 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高速平面雪崩光电二极管，涉及一种雪崩光电二极管(APD)。本发明的结构是：在n－InP衬底(2)上依次生长n－InP缓冲层(3)、n型分布反馈反射层(4)、i－InGaAs层(5)、n－InGaAsP渐变层(6)、n－InP电场控制层(7)、i－InP窗口层(8)、i型InGaAs接触层(9)；i－InP窗口层(8)中通过两次Zn扩散形成一个p型中心区(11)和p型环行区(12)；扩散后在窗口层(8)中形成雪崩倍增区(14)；窗口层(8)上覆盖抗反射介质层(10)；i型InGaAs接触层(9)上为环型的p金属层(13)，APD背面为n金属层(1)。总之，本发明具有高响应、低暗电流、高带宽特点，适用于所有雪崩光电二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 平面 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】：
1、一种高速平面雪崩光电二极管，其特征在于：在n-InP衬底(2)上依次生长n-InP缓冲层(3)、n型分布反馈反射层(4)、i-InGaAs层(5)、n-InGaAsP渐变层(6)、n-InP电场控制层(7)、i-InP窗口层(8)、i型InGaAs接触层(9)；i-InP窗口层(8)中通过两次Zn扩散形成一个p型中心区(11)和p型环行区(12)；扩散后在窗口层(8)中形成雪崩倍增区(14)；窗口层(8)上覆盖抗反射介质层(10)；i型InGaAs接触层(9)上为环型的p金属层(13)，APD背面为n金属层(1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉电信器件有限公司，未经武汉电信器件有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810047210.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
