[发明专利]单晶培养方法无效
| 申请号： | 200810047899.7 | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101319349A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 袁良杰;陈硕平;李明;相江峰;武思民 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B7/00 | 分类号： | C30B7/00 |
| 代理公司： | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人： | 刘荣 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶培养方法，首先将反应物置于离心管中，接着将离心管管口密封，然后将密封的离心管于水沸点下某一温度恒温培养即可制得所需的单晶。本发明工艺简单、成本低廉、方便观察、具有可控性且单晶培养效率高。本发明可以替代目前广泛使用的应用不锈钢反应釜的水热技术，适合规模较小，资金较少的实验室进行新型配合物的单晶培育，也适用于化学实验教学等场合。 | ||
| 搜索关键词： | 培养 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶培养方法，其特征在于包括以下步骤：首先将反应物置于离心管中，接着将离心管管口密封，然后将密封的离心管于水沸点下某一温度下恒温培养即可制得所需的单晶。
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