[发明专利]一种改善金属－P型半导体欧姆接触性能的方法

摘要

本发明属于半导体器件制造技术，为一种改善金属－P型半导体欧姆接触性能的方法。其过程为：①先合成和提纯纳米碳管；②在P型半导体上制备纳米碳管薄膜；③在纳米碳管碳薄膜上制备一层介质膜；再沉积一层光刻胶；然后利用半导体微纳制作技术在光刻胶上定义所设计的图形，曝光后，将半导体器件置入显影液中显影、清洗和坚膜后，以光刻胶作为掩蔽，刻蚀介质膜；利用带有设计图形的介质膜作为新的掩蔽刻蚀纳米碳管薄膜，刻蚀完成后去掉残余的介质膜材料；④在纳米管碳薄膜上制备金属电极或合金。本发明利用纳米碳管薄膜改善半导体器件的欧姆接触特性，具有制作工艺简单、成本低和适合大规模应用等优点，可以提高半导体器件的可靠性和寿命。

主权项

1、一种改善金属-P型半导体欧姆接触性能的方法，其步骤包括：(1)按照下述过程在半导体器件P型半导体上形成一层带有设计图形的纳米碳管薄膜；(1.1)合成和提纯纳米碳管；(1.2)在半导体器件顶层P型半导体上制备纳米碳管薄膜；(1.3)首先在上述纳米碳管碳薄膜上制备一层介质膜；再在介质膜上沉积一层光刻胶；然后在光刻胶上定义所设计的图形，曝光、显影、清洗和坚膜后，以光刻胶作为掩蔽刻蚀介质膜；利用带有设计图形的介质膜作为新的掩蔽刻蚀纳米碳管薄膜，刻蚀完成后去掉残余的介质膜材料；(2)在纳米管碳薄膜上制备金属电极或合金作打线之用。